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基于KEITHLEY2600源表MOSFET场效应管特性分析

日期:2014-07-03浏览:798次

基于美国吉时利KEITHLEY2600系列数字源表的MOSFET场效应晶体管特性分析解决方案

半导体微米,纳米制造技术、工艺和电特性分析涉及到制造、分析和评估各种半导体器件,例如二极管、双极晶体管和场效应晶体管、无源元件乃至集成电路器件。为了简单、快速地测量二极管、晶体管、运放等有源器件和的半导体器件结构,上海坚融实业推出了基于美国吉时利KEITHLEY2600系列数字源表的MOSFET场效应晶体管特性分析解决方案。吉时利的2400系列SourceMeter器和2600系列数字源表在一台仪器中集成了精密电源、真电流源和 DMM 等多种测试功能。2600 系列还包含任意波形发生器、带测量功能的电压或电流脉冲发生器、电子负载和触发控制器。当设计和试验低电阻、低功耗半导体器时,管理电源对于防止器件损坏而言至关重要。分析现代材料、半导体和纳米电子元件的电阻需要输出极低电流和测量极低电压的能力。吉时利的 delta 模式 (电流反转极性) 电阻测量功能结合了 6220 或 6221 的低电流 DC 源能力以及2182A 的低压测量精度,从而非常适合于低阻测量 (低至 10 nΩ) 适于分析导通电阻参数、互连和低功率半导体。

 
亚微米集成 MOSFET
输出特性:IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增强或耗尽),沟道长度调制参数(λ) 在饱和区域 (VDS<–3V) 有效沟道长度与 VDS 的关系。

衬底偏压特性: 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
传输特性: 
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.

衬底电流特性:
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
亚阈值特性:
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.


双极结型晶体管
   正向共发射极输出特性:Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 测量。
   正向 CE 输入特性:Ib = f (Vbe) 对于几个 Vce 正值。
   正向 Gummel 曲线: log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   确定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 与 log(Ic) 的关系: 低注入和高注入的效果。
   非理想特性:尔利电压。
   反向 CE 输出特性: Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 传输特性:Ib=f(Vbe) 对于几个Vce负值。
   反向 Gummel 曲线: logIe, logIb=f(Vbc>0).
   确定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 与 log(Ie) 的关系: 低注入和高注入的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 确定,对于给定的 Ib 电流。
   Ebers Moll 模型构建并且与实验做比较。
   BE 和 CE 结的 C-V 特性分析。基区掺杂浓缩。

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